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当然，实现这点全靠的是王为授权的专利技术！
有了它，李天彦这才在所有董事的面前神气了一把！
而监管局方面，在收到他的诉求后。
也是很快的就特派人员来办理了。
其实，龙国对于国内光刻机产业一贯是大力扶持的态度。
这点从五年拨款给龙精科七个多亿这方面就能看出来。
他们也希望龙精科能够快速的加入上市公司的行列。
可评估状况实在是不太理想。
虽有心，却无力。
毕竟他们也要对投资者们负责。
而这一次，拥有了如此底蕴的王牌的龙精科。
自然是顺利过关了！
“小菁，通知一下主管部门，加快新的双工作台制造设备和流程进度…”
“另外，要把所有能够用到的，空余的力量都投入进去。然后…”
看到李天彦突然直直的盯着自己，张青菁仿佛意识到什么一样。
手中的动作也停了下来。
“然后，我们就去吃高级的高卢料理，正好我知道很远的地方有一家特别好吃…”
“这是我答应你的！”
…
然而，当这个世界上的所有龙国人几乎都是喜悦的时候。
我们的主角，王为！
却陷入了与第三个任务：10nm光源系统的纠缠中。
事实上，凭借昏迷前的认知。
他一直以为镜头是整个光刻机中最难制造的部分。
而系统之所以将光源放在最后的原因。
多半是由于它需要用到高抛光度的镜头而已。
可随着相关所有知识一股脑的涌入。
王为才知道，这也相当的不简单呐！
难怪阿麦斯的最新一代euv光刻机，即使20亿一台，都供不应求。
每一部分所需要的零部件都代表着世界上最顶级的技术，极难生产出来！
量产更是遥遥无期！
年产量最多不超过60台的它，简直要比那些限量版跑车还要抢手！
要知道，高能光源是实现大规模量产并降低成本的前提和保障。
而且，由于要同时满足euv光刻胶对分辨率和线宽粗糙度的需求，光源的功率需要不断提高。
功率＞115w的光源可以确保涂有敏感度为5mj/cm2光刻胶的硅片的产能＞100片/h，而对于敏感度达到10mj/cm2的光刻胶就需要180w的光源而敏感度高于20mj/cm2的光刻胶甚至需要200w以上的光源以满足量产需求。
由此可知，为了满足未来euv光刻技术的发展需要，其光源结构也必须能够支持升级换代。
目前euv曝光光刻设备使用的是两种光源。
一种叫dpp，是低功率辉光放电等离子体光源，另一种就是lpp，也就是激光等离子体光源。
前者不能够满足大规模量产的需求，而后者由于其具备高功率输出的优势最有希望担负起euv光刻技术量产的大任。
进而继193nm浸没式光刻技术后成为ics制造领域的主流光刻技术。
euv光源要能够达到实用，在照明系统的入口处，在波长为13.5nm带宽为2％的范围内，需要115w的euv输出功率。
但系统所发布可是极紫外线波长为10nm的光源系统。
毕竟，波长越短，能量就越大。
这是一个常识！
无疑，这可以进一步提高输出功率从而提高输入功率。
最后得到高转换效率的实现。
不过相应的，也就增加了王为研究的难度。
这让他禁不住自顾叹气道。
“唉，难难难，任务之难…”
“还是没睡一觉难！”
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当然，实现这点全靠的是王为授权的专利技术！
有了它，李天彦这才在所有董事的面前神气了一把！
而监管局方面，在收到他的诉求后。
也是很快的就特派人员来办理了。
其实，龙国对于国内光刻机产业一贯是大力扶持的态度。
这点从五年拨款给龙精科七个多亿这方面就能看出来。
他们也希望龙精科能够快速的加入上市公司的行列。
可评估状况实在是不太理想。
虽有心，却无力。
毕竟他们也要对投资者们负责。
而这一次，拥有了如此底蕴的王牌的龙精科。
自然是顺利过关了！
“小菁，通知一下主管部门，加快新的双工作台制造设备和流程进度…”
“另外，要把所有能够用到的，空余的力量都投入进去。然后…”
看到李天彦突然直直的盯着自己，张青菁仿佛意识到什么一样。
手中的动作也停了下来。
“然后，我们就去吃高级的高卢料理，正好我知道很远的地方有一家特别好吃…”
“这是我答应你的！”
…
然而，当这个世界上的所有龙国人几乎都是喜悦的时候。
我们的主角，王为！
却陷入了与第三个任务：10nm光源系统的纠缠中。
事实上，凭借昏迷前的认知。
他一直以为镜头是整个光刻机中最难制造的部分。
而系统之所以将光源放在最后的原因。
多半是由于它需要用到高抛光度的镜头而已。
可随着相关所有知识一股脑的涌入。
王为才知道，这也相当的不简单呐！
难怪阿麦斯的最新一代euv光刻机，即使20亿一台，都供不应求。
每一部分所需要的零部件都代表着世界上最顶级的技术，极难生产出来！
量产更是遥遥无期！
年产量最多不超过60台的它，简直要比那些限量版跑车还要抢手！
要知道，高能光源是实现大规模量产并降低成本的前提和保障。
而且，由于要同时满足euv光刻胶对分辨率和线宽粗糙度的需求，光源的功率需要不断提高。
功率＞115w的光源可以确保涂有敏感度为5mj/cm2光刻胶的硅片的产能＞100片/h，而对于敏感度达到10mj/cm2的光刻胶就需要180w的光源而敏感度高于20mj/cm2的光刻胶甚至需要200w以上的光源以满足量产需求。
由此可知，为了满足未来euv光刻技术的发展需要，其光源结构也必须能够支持升级换代。
目前euv曝光光刻设备使用的是两种光源。
一种叫dpp，是低功率辉光放电等离子体光源，另一种就是lpp，也就是激光等离子体光源。
前者不能够满足大规模量产的需求，而后者由于其具备高功率输出的优势最有希望担负起euv光刻技术量产的大任。
进而继193nm浸没式光刻技术后成为ics制造领域的主流光刻技术。
euv光源要能够达到实用，在照明系统的入口处，在波长为13.5nm带宽为2％的范围内，需要115w的euv输出功率。
但系统所发布可是极紫外线波长为10nm的光源系统。
毕竟，波长越短，能量就越大。
这是一个常识！
无疑，这可以进一步提高输出功率从而提高输入功率。
最后得到高转换效率的实现。
不过相应的，也就增加了王为研究的难度。
这让他禁不住自顾叹气道。
“唉，难难难，任务之难…”
“还是没睡一觉难！”